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InGaAs 超低噪平衡探測(cè)器 UBD-100M-A UBD系系列超低噪平衡探測(cè)模塊是原MBD系系列基礎(chǔ)上升級(jí)產(chǎn)品，相比較原MBD系列在其他參數(shù)相同條件下其本底噪聲顯著降低，在相同帶寬以及增益條件下，其本底噪聲約為MBD系列模塊三分之一，因此靈敏度更高，信噪比更高

5um 超快中紅外探測(cè)器 量子阱 QWIP MIR QWIP是基于先進(jìn)的QWIP技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測(cè)器。它的響應(yīng)速度高達(dá)數(shù)十GHz，是市場(chǎng)上最快的檢測(cè)器。它是表征QCL頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學(xué)通信鏈路的完quan工具。QWIP的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在Pierre Aigrain實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的。我們對(duì)包裝和設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，以適應(yīng)低溫下的超高速運(yùn)行。

InGaAs 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um NIR-800X2型 規(guī)模：800×2；光敏面尺寸：20um×20um；像元中心距：20 um；光譜響應(yīng)波段：0.9~1.7 um； 靈敏度：1A/W；響應(yīng)非均勻性：≤5%；盲元率：≤1%；動(dòng)態(tài)范圍 ≥60dB； 幀頻：2500Hz；增益：2檔

InGaAs 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um NIR-1024X2 型 規(guī)模：800×2；光敏面尺寸：20um×20um；像元中心距：20 um；光譜響應(yīng)波段：0.9~1.7 um； 靈敏度：1A/W；響應(yīng)非均勻性：≤5%；盲元率：≤1%；動(dòng)態(tài)范圍：≥60dB； 幀頻：2000Hz；增益：2檔

50-100um Bottom illuminated Monitor PD Chip φ50um（芯片） InGaAs PIN 監(jiān)控光探測(cè)器芯片