2-12μm 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達到最佳性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

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更新時間：2024-12-04

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產(chǎn)品分類

光電探測器

探測器芯片超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PV-4TE系列是基于復雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達到最佳性能。起始波長可根據(jù)需要進行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品應用

● 醫(yī)學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測器型號
參數(shù)	PV-4TE-3	PV-4TE-3.4	PV-4TE-4	PV-4TE-5	PV-4TE-6	PV-4TE-8	PV-4TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長λopt，μm	3.0	3.4	4.0	5.0	6.0	8.0	10.6
探測靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w	≥3×1011	≥2×1011	≥1×1011	≥4×1010	≥9×109	≥5×108	≥4×108
探測靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W	≥1.5×1011	≥1×1011	≥6×1010	≥1.5×1010	≥5×109	≥4×108	≥2×108
電流響應度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5	≥1.0	≥0.5
時間常數(shù)T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤25
電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2	≥300	≥20	≥8	≥0.4	≥0.03	≥0.0006	≥0.0005
有源元件溫度Tdet,K	~195
感光面面積A，mm×mm	0.05×0.05,0.1×0.1						0.05×0.05
封裝	TO8,TO66
接收角Φ	～70°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR