3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm ,PV-2TE系列反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍，以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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產(chǎn)品咨詢 18602170419

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產(chǎn)品分類

光電探測器

探測器芯片超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數(shù)器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PV-2TE系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級熱電冷卻紅外光電探測器，具有好的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時達(dá)到好性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍，以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

產(chǎn)品特點

● 含有兩級TE制冷以提高探測器性能

● 可探測中紅外波長范圍2-12μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有抗反射涂層窗口鏡

封裝及尺寸

2TE-TO8封裝尺寸圖

2TE-TO8引腳定義

功能	PIN號
探測器	1,3
熱敏電阻	7,9
TE冷卻器供應(yīng)	2（+），8（-）
底板接地	11
未使用	4,5,6,10,12

2TE-TO66封裝尺寸圖

2TE-TO66引腳定義

功能	引腳編號
探測器	7,8
熱敏電阻	5,6
TE致冷供給	1（+），9（-）
未使用	2,3,4

產(chǎn)品應(yīng)用

● 醫(yī)學(xué)熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術(shù)參數(shù)

參數(shù)	探測器型號
參數(shù)	PV-2TE-3	PV-2TE-3.4	PV-2TE-4	PV-2TE-5	PV-2TE-6	PV-2TE-8	PV-2TE-10.6
有源元件材料	外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)
波長λopt，μm	3	3.4	4	5	6	8	10.6
探測靈敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w	≥1×1011	≥6×1010	≥4×1010	≥1.5×1010	≥5×109	≥4×108	≥2×108
探測靈敏度D*(λopt），cm·Hz?/W	≥7×1010	≥4×1010	≥3×1010	≥9×109	≥2×109	≥2×108	≥1×108
電流響應(yīng)度Ri(λopt)，A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.3	≥1.5	≥0.8	≥0.4
時間常數(shù)T，ns	≤280	≤200	≤100	≤80	≤50	≤45	≤10
電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2	≥150	≥3	≥2	≥0.1	≥0.02	≥0.0002	≥0.0001
有源元件溫度Tdet,K	~230
感光面面積A，mm×mm	0.05×0.05,0.1×0.1						0.05×0.05
封裝	TO8,TO66
接收角Φ	～70°
窗口	wAl2O3				wZnSeAR